Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
3 390.12 ₽
2 815.20 ₽
Под заказ
Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (60 В, 1 А, 0.25 Вт 185 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+10 кОм)
Артикул п.
—
PBLS6003D,115
Корпус
—
SC-74
Код товара
—
226827
Производитель
—
NEXPERIA
25.13 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор NPN 60В 1А 1Вт Кус 40-200 200МГц
Год выпуска
—
2024
Корпус
—
TO-126
Код товара
—
67689
47.50 ₽
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный высокочастотный 28В 10Вт TO270-2GW
Артикул п.
—
MW6S010GNR1
Корпус
—
TO-270-2 GULL
Код товара
—
473012
Производитель
—
NXP / Philips
Под заказ
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Артикул п.
—
IKW50N60TFKSA1
Корпус
—
PG-TO-247-3
Код товара
—
202874
Производитель
—
Infineon Technologies
404.09 ₽
2 573.93 ₽
Под заказ
Модуль силовой SiC MOSFET N-канальный 1.2KВ 50A
Артикул п.
—
FF23MR12W1M1PB11BPSA1
Корпус
—
Module
Код товара
—
549514
Производитель
—
Infineon Technologies
8 146.44 ₽
Под заказ
Модуль силовой SiC MOSFET 2 N-канальный 1200В 50A
Артикул п.
—
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Корпус
—
Module
Код товара
—
464361
Производитель
—
Infineon Technologies
Под заказ
Модуль силовой GaN MOSFET сборка 2 N-канальный 600В 70А 470Вт
Артикул п.
—
TPD3215M
Корпус
—
Module
Код товара
—
551395
Производитель
—
TRANSPH
10 714.61 ₽
Под заказ
Модуль силовой IGBT 1700В/300A
Артикул п.
—
HF300H170
Код товара
—
552760
Производитель
—
ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
10 455.12 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1.5 А, 10 Вт
Артикул п.
—
КТ814В
Год выпуска
—
2024
Корпус
—
TO-126
Код товара
—
4955
29.93 ₽
Под заказ
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 80 В, 7 А
Артикул п.
—
BSC340N08NS3G
Корпус
—
TDSON-8 FL
Код товара
—
302039
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 11А 48Вт
Артикул п.
—
IRFI9540GPBF
Корпус
—
TO-220F
Код товара
—
204083
131.48 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор, NPN, 1700 В, 16 А, 65 Вт
Артикул п.
—
2SC5552
Корпус
—
TO-3PF
Код товара
—
65504
Под заказ
Модуль IGBT 1700В 648A
Артикул п.
—
GD400HFX170C2S
Код товара
—
560954
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
18 312.48 ₽
Под заказ
Силовой модуль IGBT N-канальный 1700В 88А
Артикул п.
—
SKM75GB17E4
Корпус
—
SEMITRANS® 2
Код товара
—
591547
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
3 456.94 ₽
Под заказ
Модуль силовой IGBT 6500В 250А
Артикул п.
—
FD250R65KE3KNOSA1
Код товара
—
501102
Производитель
—
Infineon Technologies
Под заказ
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 62 Вт
Артикул п.
—
STGD8NC60KDT4
Корпус
—
DPAK/TO-252AA
Код товара
—
240754
