Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
Под заказ
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 3 А/2.2 А, 0.96W
Артикул п.
—
FDC6420C
Корпус
—
SSOT6
Код товара
—
197243
Производитель
—
ON Semiconductor
178.40 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт
Корпус
—
ECONO2-1
Код товара
—
137821
25 989.26 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 62 Вт
Артикул п.
—
STGD10NC60KDT4
Корпус
—
DPAK/TO-252AA
Код товара
—
240750
Под заказ
Артикул п.
—
CE3512K2-C1
Код товара
—
479526
Производитель
—
California Eastern Laboratories
Под заказ
Модуль IGBT 1200 В, 600 A
Артикул п.
—
FS450R12KE3
Код товара
—
198740
Производитель
—
Infineon Technologies
73 571.44 ₽
1 110.10 ₽
Под заказ
Транзистор биполярный IGBT N-канальный 650В 40A 168Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Артикул п.
—
STGW20H65FB
Корпус
—
TO-247
Код товара
—
507344
Производитель
—
ST Microelectronics
316.94 ₽
Под заказ
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 140A 428Вт TO247-3
Артикул п.
—
IGW75N60H3FKSA1
Код товара
—
412447
Производитель
—
Infineon Technologies
844.56 ₽
Под заказ
Артикул п.
—
MXP120A045FE-T1GE3
Корпус
—
D2PAK-7
Код товара
—
786804
Производитель
—
Vishay
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.2A 3-Pin DFN лента на катушке
Артикул п.
—
PMZ290UNE2YL
Код товара
—
349509
Производитель
—
NEXPERIA
Под заказ
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт
Артикул п.
—
MMBF5103
Корпус
—
SOT-23
Код товара
—
219995
Производитель
—
ON Semiconductor
9.80 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор NPN 50В 0,8А 0,5Вт Кус 110-220 200МГц
Год выпуска
—
2021
Корпус
—
КТ-4-2
Код товара
—
75456
17.28 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор PNP -30В -100мА 75мВт Кус 200-500 200МГц
Артикул п.
—
КТ3129Г9
Примечание
—
переп 2017
Год выпуска
—
2016
Корпус
—
SOT-23
Код товара
—
4539
35.63 ₽
Под заказ
Транзистор биполярный ВЧ NPN 15В 0.05А 250мВт 1.45ГГц 3-Pin SOT-523 лента на катушке
Артикул п.
—
CMUT5179 TR
Корпус
—
SC-75 (SOT523)
Код товара
—
551351
Производитель
—
CSC
66.60 ₽
Под заказ
Транзистор: IGBT, 600В, 30А, 187Вт, D2PAK
Артикул п.
—
IGB30N60H3ATMA1
Код товара
—
439024
Производитель
—
Infineon Technologies
Под заказ
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 600А 2100Вт 11-Pin ECONOD-3 лоток
Артикул п.
—
FF450R12ME3BOSA1
Код товара
—
550005
Производитель
—
Infineon Technologies
12 567.96 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор NPN 12В 40мА 450мВт Кус 60-200 11ГГц
Артикул п.
—
BFU530WX
Корпус
—
SC-70-3 (SOT323)
Код товара
—
356643
Производитель
—
NXP / Philips
Под заказ
Биполярный транзистор PNP -60В -4А 8Вт Кус не менее 750 200МГц
Артикул п.
—
КТ973А
Год выпуска
—
2022
Корпус
—
TO-126
Код товара
—
5318
68.62 ₽
Под заказ
IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой
Артикул п.
—
XNG450B24KC5A5
Код товара
—
527370
Производитель
—
Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd
8 867.74 ₽
Под заказ
Blocking Voltage 1400V
Si3N4 AMB
High Reliability Epoxy ResinPotting Technology
Highly Reliable
Si3N4 AMB
High Reliability Epoxy ResinPotting Technology
Highly Reliable
Артикул п.
—
DFS36FB14EYQ1
Код товара
—
695239
Производитель
—
Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
8 524.87 ₽
