Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт, 0.18 Ом
Корпус
—
D2Pak (TO-263)
Код товара
—
71853
161.44 ₽
22 545.72 ₽
Под заказ
Артикул п.
—
DDC114EUQ-7-F
Код товара
—
962530
Производитель
—
Diodes Incorporated
11.95 ₽
Под заказ
Пластиковый корпус IGBT модуля 1200В, 400А
Артикул п.
—
APMTIWG400H12N4B
Код товара
—
755578
Производитель
—
Beiyi Semiconductor Technology (Guangdong) Co., Ltd.
Под заказ
IGBT модуль 1700В 1200 А 130*140мм Dual Switch
Артикул п.
—
TIM1200DDM17-TSA000
Код товара
—
522933
Производитель
—
CRRC Times Semiconductor
Под заказ
Артикул п.
—
IGB50N65H5ATMA1
Код товара
—
439025
Производитель
—
Infineon Technologies
Под заказ
IGBT модуль 1700В, 1000А
Артикул п.
—
CM1000DU-34NF
Код товара
—
425849
Производитель
—
Mitsubishi Electric
60 404.69 ₽
Под заказ
Цифровой биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.6 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+10 кОм
Артикул п.
—
PBRN123YT,215
Корпус
—
SOT-23 (TO-236AB)
Код товара
—
226838
Производитель
—
NEXPERIA
Под заказ
IGBT модуь 1200В, 100А, 6-Pack
Артикул п.
—
6MBI100VA-120-50
Код товара
—
790654
Производитель
—
FUJI Electric
11 932.06 ₽
Под заказ
Полумостовой модуль IGBT 1200В, 450A, корпус 62мм
Артикул п.
—
AP450H12X4B
Код товара
—
591968
Производитель
—
APEMIC
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 39Вт
Артикул п.
—
SK15N10
Корпус
—
DPAK/TO-252AA
Код товара
—
571438
Производитель
—
SHIKUES
9.94 ₽
Под заказ
Биполярный РЧ транзистор NPN,35 В, 3.4А
Артикул п.
—
MRF314
Код товара
—
543681
Производитель
—
MACOM Technology Solution Holdings, Inc.
8 335.30 ₽
Под заказ
Артикул п.
—
IGB20N65S5ATMA1
Код товара
—
464413
Производитель
—
Infineon Technologies
Под заказ
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 2.7 А
Артикул п.
—
FDS89161
Корпус
—
SOIC8N
Код товара
—
197771
Производитель
—
ON Semiconductor
1 167.62 ₽
29.45 ₽
1 035.07 ₽
