Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
Под заказ
Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 100 мА, 15 Вт, (Комплементарная пара KTА1480)
Примечание
—
форм. выв.
Корпус
—
TO-126F
Код товара
—
127062
21.02 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор NPN
Корпус
—
SIP10
Код товара
—
41270
146.32 ₽
2 261.30 ₽
9 007.27 ₽
440.21 ₽
131.11 ₽
89.28 ₽
Под заказ
Артикул п.
—
MG450HF12TLE3
Код товара
—
770678
Производитель
—
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
12 393.43 ₽
Под заказ
IGBT модуль 1200В, 450A, Econodual 3
Артикул п.
—
AP600HB12ED3A
Код товара
—
589158
Производитель
—
APEMIC
14 781.74 ₽
Под заказ
Артикул п.
—
2MBI 400U4Н-170-50
Код товара
—
567477
Производитель
—
FUJI Electric
Под заказ
Силовой модуль 2-IGBT 1700В 650А, PrimePACK 2
Артикул п.
—
FF650R17IE4
Корпус
—
AG-62MMHB
Код товара
—
527912
Производитель
—
Infineon Technologies
Под заказ
IGBT модуль 4500В 1200 А 189*140мм Single Switch
Артикул п.
—
TIM1200ASM45-PSA011
Код товара
—
525207
Производитель
—
CRRC Times Semiconductor
Под заказ
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 24A 110Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Артикул п.
—
IGB10N60TATMA1
Код товара
—
464411
Производитель
—
Infineon Technologies
Под заказ
Силовой модуль IGBT N-канальный 600В 265А
Артикул п.
—
SKM195GB066D
Корпус
—
SEMITRANS® 2
Код товара
—
409151
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
11 311.78 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор NPN 12В 150мА 700мВт Кус 70-140 7,5ГГц
Артикул п.
—
BFP196WH6327
Корпус
—
SOT-343
Код товара
—
342973
Производитель
—
Infineon Technologies
20.77 ₽
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A
Артикул п.
—
IRF9630SPBF
Корпус
—
D2Pak (TO-263)
Код товара
—
203929
132.02 ₽
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт, 0.18 Ом
Корпус
—
D2Pak (TO-263)
Код товара
—
71853
161.44 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор PNP -60В -0,6А 1Вт Кус 40-120 200МГц
Год выпуска
—
2008
Корпус
—
TO-126
Код товара
—
65452
7.78 ₽
