Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
Под заказ
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 0.22 А
Артикул п.
—
FDC6301N
Корпус
—
SSOT6
Код товара
—
197219
Производитель
—
ON Semiconductor
19 276.20 ₽
Под заказ
Артикул п.
—
GD35PJY120L3S
Код товара
—
915871
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Под заказ
Артикул п.
—
2MBI1400VXB-170P-54
Код товара
—
786296
Производитель
—
Fujitsu Microelectronics
Под заказ
Артикул п.
—
2MBI1200VG-120P
Код товара
—
683590
Производитель
—
FUJI Electric
Под заказ
Артикул п.
—
DFI300HF12DF1
Код товара
—
604441
Производитель
—
Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
8 326.01 ₽
Под заказ
Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 85Вт, TO247-3
Артикул п.
—
IKW20N60H3FKSA1
Код товара
—
412461
Производитель
—
Infineon Technologies
631.37 ₽
Под заказ
Полумоcтовой модуль IGBT 150А 1200В
Артикул п.
—
MGC75D12A1-251H3
Код товара
—
376442
Производитель
—
TECH Semiconductors Co., Ltd
2 434.43 ₽
Под заказ
Полумостовой модуль IGBT 100А 600В
Артикул п.
—
MGC100D06A1-251H3
Код товара
—
376439
Производитель
—
TECH Semiconductors Co., Ltd
4 333.34 ₽
Под заказ
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Артикул п.
—
DDTC123JCA-7-F
Корпус
—
SOT23-3
Код товара
—
347912
Производитель
—
Diodes Incorporated
Под заказ
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.295 А
Артикул п.
—
NTJD5121NT1G
Корпус
—
SC70-6
Код товара
—
224492
Производитель
—
ON Semiconductor
33.37 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 17 А, 200 Вт (Комплементарная пара 2SA1216)
Корпус
—
MT-200
Код товара
—
36954
598.88 ₽
4 000.10 ₽
Под заказ
Артикул п.
—
DCX53-16-13
Код товара
—
960851
Производитель
—
Diodes Incorporated
30.46 ₽
436.39 ₽
110.74 ₽
1 732.32 ₽
Под заказ
Пластиковый корпус IGBT модуля 1200В, 200А
Артикул п.
—
APMTIVP200H12E4-3TB
Код товара
—
755576
Производитель
—
Beiyi Semiconductor Technology (Guangdong) Co., Ltd.
