Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
Под заказ
Артикул п.
—
IXGH40N120B2D1
Код товара
—
941666
Производитель
—
IXYS Corporation
2 409.77 ₽
8 914.18 ₽
Под заказ
Артикул п.
—
IXFH34N60X2A
Код товара
—
941508
Производитель
—
IXYS Corporation
1 294.56 ₽
Под заказ
Артикул п.
—
IXGH20N120A3
Код товара
—
941385
Производитель
—
IXYS Corporation
1 004.69 ₽
17 634.38 ₽
13 574.81 ₽
Под заказ
Артикул п.
—
IXA30RG1200DHGLB
Код товара
—
941032
Производитель
—
IXYS Corporation
1 238.33 ₽
13 446.86 ₽
10 129.82 ₽
Под заказ
Артикул п.
—
IXBX50N360HV
Код товара
—
940881
Производитель
—
IXYS Corporation
7 584.84 ₽
15 312.60 ₽
7 982.64 ₽
Под заказ
Артикул п.
—
MG150HF12MRC2
Код товара
—
935498
Производитель
—
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
6 705.14 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 10 А, 100 Вт, (Комплементарная пара 2SА1941)
Артикул п.
—
2SC5198-O (Q)
Корпус
—
TO-3P(N)
Код товара
—
851626
Производитель
—
Toshiba Semiconductor
126.58 ₽
Под заказ
IGBT module 1700 V, 300 A sixpack
Артикул п.
—
FS300R17KE4
Код товара
—
789331
Производитель
—
Infineon Technologies
Под заказ
3 фазный IGBTмодуль 750B, 820А (удлинённые выводы)
Артикул п.
—
APMTI820F08A6M7R_LA
Код товара
—
601117
Производитель
—
APEMIC
Под заказ
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А TO-263
Артикул п.
—
XNA30N60T-A01
Код товара
—
568577
Производитель
—
Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd
Под заказ
Артикул п.
—
LBC857CLT1G
Код товара
—
540033
Производитель
—
Leshan Radio Company, Ltd
3.24 ₽
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 79A, 8мОм
Артикул п.
—
HKTG48N10
Корпус
—
PDFN5*6
Код товара
—
526872
Производитель
—
Hottech Co. Ltd
45.94 ₽
Под заказ
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 60A 187Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Артикул п.
—
IGP30N60H3XKSA1
Код товара
—
464416
Производитель
—
Infineon Technologies
