Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
В наличии
Биполярный транзистор PNP -45В -4А 8Вт Кус не менее 750 200МГц
Артикул п.
—
КТ973Б
Год выпуска
—
2024
Корпус
—
TO-126
Код товара
—
5320
75.17 ₽
2 435.62 ₽
В наличии
Артикул п.
—
CAB016M12FM3
Код товара
—
916702
Производитель
—
Wolfspeed, Inc.
В наличии
Транзистор биполярный сборка NPN/PNP 65В 0.1А 6TSSOP
Артикул п.
—
BC846BPN
Корпус
—
SOT-363
Код товара
—
536381
Производитель
—
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
4.75 ₽
В наличии
IGBT модуль 1700B 450А 2 in one-package
Артикул п.
—
GD450HFX170C6S
Код товара
—
526806
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
9 091.30 ₽
В наличии
Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А
Артикул п.
—
MBT3946DW1T1G
Корпус
—
SOT363-6
Код товара
—
215046
Производитель
—
ON Semiconductor
5.08 ₽
В наличии
Биполярный транзистор, NPN, 900 В, 5 А, 70 Вт
Корпус
—
TO218F
Код товара
—
103658
100.04 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 16А 190Вт, 0.3 Ом
Корпус
—
TO-247AC
Код товара
—
37549
205 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247-3 туба
Артикул п.
—
NVHL020N090SC1
Корпус
—
TO-247-3
Код товара
—
678062
Производитель
—
ON Semiconductor
4 167.14 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 40 А, 288 Вт
Артикул п.
—
IHW20N135R5XKSA1
Корпус
—
PG-TO-247-3
Код товара
—
412448
Производитель
—
Infineon Technologies
212.04 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 1.2KВ 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Артикул п.
—
C2M0080120D
Корпус
—
TO-247-3
Код товара
—
375255
Производитель
—
Wolfspeed, Inc.
1 755.67 ₽
В наличии
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Артикул п.
—
MMUN2233LT1G
Корпус
—
SOT-23-3
Код товара
—
220595
Производитель
—
ON Semiconductor
2.34 ₽
В наличии
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 8 мА, 0.25Вт
Артикул п.
—
BSR58
Корпус
—
SOT-23
Код товара
—
184941
Производитель
—
ON Semiconductor
20.68 ₽
В наличии
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C
Артикул п.
—
RD35HUP2-501
Корпус
—
Ceramic
Код товара
—
355897
Производитель
—
Mitsubishi Electric
1 265.05 ₽
В наличии
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 175МГц Tch=150°C
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
138908
610.15 ₽
В наличии
Транзистор биполярный IGBT со встроенным диодом 600В/15А
Артикул п.
—
DG15X06T1
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
915878
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
64.51 ₽
В наличии
Полевой транзистор N-канальный 12В 17.7А 3-Pin(3+Tab) TO-247
Артикул п.
—
C2M0160120D
Корпус
—
TO-247-3
Код товара
—
418106
Производитель
—
Wolfspeed, Inc.
1 197.65 ₽
В наличии
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт
Артикул п.
—
MMBF5484
Корпус
—
SOT-23
Код товара
—
220001
Производитель
—
ON Semiconductor
15.29 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 42 А, 160 Вт
Артикул п.
—
IRG4BC40KPBF
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
204458
Производитель
—
Infineon Technologies
281.70 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Артикул п.
—
IGP40N65H5XKSA1
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
202747
Производитель
—
Infineon Technologies
361.94 ₽
