Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
В наличии
Артикул п.
—
DDA144EH-7
Код товара
—
958042
Производитель
—
Diodes Incorporated
10.73 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 1000В, ток стока 3А
Артикул п.
—
WMO05N100C2
Корпус
—
DPAK/TO-252AA
Код товара
—
603180
Производитель
—
Wayon
143.93 ₽
В наличии
Транзистор биполярный общего применения NPN 100В 4А 1300мВт 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Артикул п.
—
2SC5566-TD-E
Корпус
—
SOT-89-3
Код товара
—
551435
Производитель
—
ON Semiconductor
75.53 ₽
В наличии
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 1.3 Вт
Артикул п.
—
BCX56-16
Корпус
—
SOT-89-3
Код товара
—
386887
Производитель
—
Hottech Co. Ltd
3.96 ₽
В наличии
Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Артикул п.
—
MMBFJ270
Корпус
—
SOT-23-3 (TO-236)
Код товара
—
220016
Производитель
—
ON Semiconductor
23.44 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 5 А, 53,6Вт
Артикул п.
—
IKD03N60RFATMA1
Корпус
—
DPAK
Код товара
—
202853
Производитель
—
Infineon Technologies
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -12 А/15 А, 10 Вт
Корпус
—
TO252-4L
Код товара
—
148421
22.75 ₽
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 2.3 А
Корпус
—
SO-8
Код товара
—
145890
45.05 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 80 Вт
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
143027
194.44 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт
Корпус
—
TO-220AB
Код товара
—
37571
296.94 ₽
В наличии
Биполярный транзистор, PNP, 70 В, 7.5 А, 30 Вт
Артикул п.
—
КТ837Б
Год выпуска
—
2025
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
5051
98.42 ₽
В наличии
Биполярный транзистор PNP -20В -30мА 200мВт Кус не менее 50 60МГц
Артикул п.
—
КТ3157А
Год выпуска
—
2021
Корпус
—
TO92-3
Код товара
—
4564
10.16 ₽
В наличии
Артикул п.
—
DDC114TH-7
Код товара
—
958045
Производитель
—
Diodes Incorporated
8.86 ₽
В наличии
Модуль IGBT 650В 247A
Артикул п.
—
GD200HFX65C2S
Код товара
—
560951
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
1 425.46 ₽
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А, 2 Вт
Артикул п.
—
AO4822A
Корпус
—
SOIC8
Код товара
—
529299
Производитель
—
Alpha & Omega Semiconductor
13.97 ₽
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6.9 А
Артикул п.
—
AO4812
Корпус
—
SOP8
Код товара
—
526830
Производитель
—
Hottech Co. Ltd
9.36 ₽
В наличии
Модуль силовой 2-IGBT 1200В 900A PrimePACK2
Артикул п.
—
FF900R12IP4
Корпус
—
AG-PRIME2 ( PrimePACK™2 )
Код товара
—
481654
Производитель
—
Infineon Technologies
44 238.60 ₽
В наличии
Артикул п.
—
IGB50N65S5ATMA1
Код товара
—
464414
Производитель
—
Infineon Technologies
334.08 ₽
В наличии
IGBT модуль, 1200 В, 314 А
Артикул п.
—
SKM200GB12E4
Корпус
—
SEMITRANS® 3 (Case D56)
Код товара
—
359261
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
8 839.54 ₽
В наличии
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Артикул п.
—
IRF9362TRPBF
Корпус
—
SO-8
Код товара
—
344494
Производитель
—
Infineon Technologies
77.92 ₽
