Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
В наличии
Артикул п.
—
GD75FFY120C5S
Код товара
—
561169
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
7 297.20 ₽
В наличии
IGBT модуль 1200В 155А 511Вт 150°С
Артикул п.
—
GD100HFY120C1S
Код товара
—
561035
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
2 857.25 ₽
В наличии
Модуль IGBT 1200В 200A
Артикул п.
—
GD200HFY120C2S
Код товара
—
560956
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
5 922.86 ₽
В наличии
Артикул п.
—
SKIIP11NAB126V1
Код товара
—
477462
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
6 912.14 ₽
В наличии
Биполярный транзистор NPN 160В 0.6A SOT-223
Артикул п.
—
DZT5551-13
Корпус
—
SOT-223
Код товара
—
349320
Производитель
—
Diodes Incorporated
8.68 ₽
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Артикул п.
—
NTUD3169CZT5G
Корпус
—
SOT-963
Код товара
—
224582
Производитель
—
ON Semiconductor
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 208 Вт
Артикул п.
—
IRGB15B60KDPBF
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
204504
Производитель
—
Infineon Technologies
257.42 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 46А 330Вт
Артикул п.
—
IRFB4229PBF
Корпус
—
TO-220AB
Код товара
—
203974
Производитель
—
Infineon Technologies
141.82 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, N-канальный, 1.2 кВ, 370 А
Артикул п.
—
FF300R12KS4HOSA1
Корпус
—
AG-62MMHB
Код товара
—
197862
Производитель
—
Infineon Technologies
13 443.52 ₽
В наличии
Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 2 А, 0.5 Вт (Комплементарная пара 2SC2873)
Корпус
—
SC-62
Код товара
—
125587
16 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А, 43 Вт
Примечание
—
форм.
Корпус
—
TO-220F
Код товара
—
122558
205.49 ₽
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 20 В, 5.3 А, 2 Вт, 0.058 Ом
Корпус
—
SOIC8
Код товара
—
69656
69.77 ₽
В наличии
Артикул п.
—
AFT05MS031GNR1
Код товара
—
1001907
Производитель
—
NXP / Philips
3 204.94 ₽
В наличии
Модуль IGBT 1200В 262А
Артикул п.
—
GD200HFU120C2S
Код товара
—
560948
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
6 928.78 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET SiC 1200В, 115А, TO-247
Артикул п.
—
C3M0016120D
Код товара
—
534154
Производитель
—
Wolfspeed, Inc.
В наличии
IGBT модуль 1200B 450А 2 in one-package
Артикул п.
—
GD450HFY120C6S
Код товара
—
529536
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
8 899.06 ₽
В наличии
Силовой модуль 2-IGBT 1200В 150А
Артикул п.
—
FF150R12KS4
Корпус
—
AG-62MMHB
Код товара
—
523966
Производитель
—
Infineon Technologies
9 954.43 ₽
В наличии
Артикул п.
—
CM450DX-34T
Код товара
—
455558
Производитель
—
Mitsubishi Electric
15 977.52 ₽
В наличии
Артикул п.
—
BFP650H6327XTSA1
Код товара
—
412189
Производитель
—
Infineon Technologies
41.40 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 75 Вт
Артикул п.
—
STGP3NC120HD
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
406632
Производитель
—
ST Microelectronics
156.82 ₽
