Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
В наличии
IGBT модуль 1200B 75А
Артикул п.
—
GD75PIY120C6S
Код товара
—
565735
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
11 285.06 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 60В, ток стока 200А
Артикул п.
—
WMK025N06HG2
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
542284
Производитель
—
Wayon
106.20 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 130A 1.8мОм PDFN5060-8L
Артикул п.
—
WMB018N04LG2
Корпус
—
PDFN5*6
Код товара
—
541484
Производитель
—
Wayon
40.97 ₽
В наличии
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А
Артикул п.
—
SKIIP35NAB12T4V1
Корпус
—
MiniSKiiP® 3
Код товара
—
519466
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
8 709.26 ₽
В наличии
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 40A 167Вт TO220AB
Артикул п.
—
STGP20V60DF
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
512745
Производитель
—
ST Microelectronics
197.35 ₽
В наличии
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 616А 7-Pin
Артикул п.
—
SKM400GB12T4
Корпус
—
SEMITRANS® 3 (Case D56)
Код товара
—
403911
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
15 603.12 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 45 А, 600 В, 250W
Артикул п.
—
STGW45HF60WD
Корпус
—
TO-247
Код товара
—
387518
Производитель
—
ST Microelectronics
644.54 ₽
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3 А, 1.13Вт
Артикул п.
—
NTHD4508NT1G
Корпус
—
ChipFET[тм]
Код товара
—
224482
Производитель
—
ON Semiconductor
104.35 ₽
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 55 В, 3.4 А, 2 Вт
Артикул п.
—
IRF7342TRPBF
Корпус
—
SO-8
Код товара
—
203787
Производитель
—
Infineon Technologies
42.88 ₽
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Артикул п.
—
DMG1016UDW-7
Корпус
—
SOT-363
Код товара
—
192661
Производитель
—
Diodes Incorporated
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт
Корпус
—
TO-247
Код товара
—
126863
310.78 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт, 0.065 Ом
Корпус
—
IPAK (TO-251)
Код товара
—
66389
48.31 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 12А 150Вт, 0.55 Ом
Корпус
—
TO-247AC
Код товара
—
37555
159.90 ₽
В наличии
Артикул п.
—
GD1000HFX170P2S
Код товара
—
851283
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
42 777 ₽
В наличии
Модуль полумостовой IGBT 1200В 75А
Артикул п.
—
MG75HF12TLC1
Код товара
—
603882
Производитель
—
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
3 087.14 ₽
В наличии
Артикул п.
—
DFI450HF12I4ME2
Код товара
—
603299
Производитель
—
Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
10 979.42 ₽
В наличии
Артикул п.
—
PM75CL1B120#350G
Код товара
—
568624
Производитель
—
Mitsubishi Electric
35 919.79 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.5А
Артикул п.
—
SI2393DS-T1-GE3
Корпус
—
SOT-23
Код товара
—
566511
37.08 ₽
