Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
В наличии
Модуль силовой IGBT трехфазный 1200В 10А
Артикул п.
—
PS12034
Код товара
—
405299
Производитель
—
Mitsubishi Electric
5 421.24 ₽
В наличии
Силовой модуль IGBT; диодно-транзисторный; IGBT трехфазный мост 40А
Артикул п.
—
SKIIP24NAB126V10
Корпус
—
MiniSKiiP® 3
Код товара
—
403928
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
10 582.49 ₽
В наличии
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1700В 80A 360Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Артикул п.
—
IXBH42N170
Корпус
—
TO-247AD
Код товара
—
361364
Производитель
—
IXYS Corporation
В наличии
MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
Артикул п.
—
STS1DNC45
Корпус
—
SO-8
Код товара
—
356353
Производитель
—
ST Microelectronics
119.05 ₽
В наличии
Транзистор биполярный с изолированным затвором низкая потеря встроенный диод 1200В 8А
Артикул п.
—
IKW08T120FKSA1
Корпус
—
TO-247
Код товара
—
354430
Производитель
—
Infineon Technologies
313.66 ₽
В наличии
TRANS 2NPN 300V 0.5A SOT26
Артикул п.
—
MMDTA42-7-F
Корпус
—
SOT-26
Код товара
—
350382
Производитель
—
Diodes Incorporated
В наличии
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
Артикул п.
—
MMDT5551-7-F
Корпус
—
SOT-363
Код товара
—
349591
Производитель
—
Diodes Incorporated
В наличии
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 50A 42нс TO-247AD
Артикул п.
—
IXXH50N60C3
Корпус
—
TO-247 (IXXH)
Код товара
—
349184
Производитель
—
IXYS Corporation
В наличии
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Артикул п.
—
DDTC114EUA-7-F
Корпус
—
SOT-323
Код товара
—
348041
Производитель
—
Diodes Incorporated
В наличии
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А, 0.6 Вт
Артикул п.
—
BC337-40
Корпус
—
TO92/formed lead
Код товара
—
347502
Производитель
—
Diotec Semiconductor
3.50 ₽
В наличии
TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
Артикул п.
—
ZXTD4591E6TA
Корпус
—
SOT-23-6
Код товара
—
343731
Производитель
—
Diodes Incorporated
В наличии
Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.1 А
Артикул п.
—
BCM857BS,135
Корпус
—
6-TSSOP
Код товара
—
335186
Производитель
—
NEXPERIA
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 0.35 А, 0.28 Вт
Артикул п.
—
NX3008NBKS,115
Корпус
—
TSSOP6
Код товара
—
224711
Производитель
—
NEXPERIA
7.48 ₽
В наличии
Биполярный транзистор PNP/PNP, 60 В, 0.6 А
Артикул п.
—
MMDT2907A-7-F
Корпус
—
SOT-363
Код товара
—
220270
Производитель
—
Diodes Incorporated
В наличии
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.5 А
Артикул п.
—
MMBTA28-7-F
Корпус
—
SOT23-3
Код товара
—
220124
Производитель
—
Diodes Incorporated
2.48 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 32 А, 140 Вт
Артикул п.
—
IRGS4620DPBF
Корпус
—
D2Pak (TO-263)
Код товара
—
204580
Производитель
—
Infineon Technologies
289.34 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 240 А, 750 Вт
Артикул п.
—
IRGPS4067DPBF
Корпус
—
Super-247
Код товара
—
204562
Производитель
—
Infineon Technologies
1 804.86 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 215 Вт
Артикул п.
—
IRGB20B60PD1PBF
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
204505
Производитель
—
Infineon Technologies
620.29 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A
Артикул п.
—
IRF7606TRPBF
Корпус
—
Micro8[тм]
Код товара
—
203834
Производитель
—
Infineon Technologies
104.09 ₽
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 50 В, 3 А, 2 Вт
Артикул п.
—
IRF7103TRPBF
Корпус
—
SO-8
Код товара
—
203751
Производитель
—
Infineon Technologies
21.18 ₽
